FDD86250 SUR
Disponible
FDD86250 SUR
Fonctionnalités
Technologie MOSFET à grille blindée
Max rDs(on)= 22 mo à Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m à Vcs = 6 V, lp=6.5A100% testé UIL
Conforme à la directive RoHS
Description générale
Ce MOSFET à canal N est produit à l’aide du procédé avancé PowerTrench de Fairchild qui intègre la technologie Shielded Gate. Ce processus a été optimisé pour la résistance à l’état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures.
Fonctionnalités
Technologie MOSFET à grille blindée
Max rDs(on)= 22 mo à Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m à Vcs = 6 V, lp=6.5A100% testé UIL
Conforme à la directive RoHS
Description générale
Ce MOSFET à canal N est produit à l’aide du procédé avancé PowerTrench de Fairchild qui intègre la technologie Shielded Gate. Ce processus a été optimisé pour la résistance à l’état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures.
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