V30200C-E3/4W Vishay
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V30200C-E3/4W Vishay
CARACTÉRISTIQUES • Technologie Trench MOS Schottky • Faible chute de tension directe, faibles pertes de puissance • Fonctionnement à haut rendement • Faible résistance thermique • Conforme au niveau MSL 1, selon J-STD-020, crête maximale LF de 245 °C (pour le boîtier TO-263AB) • Température du bain de soudure 275 °C maximum, 10 s, selon JESD 22-B106 (pour les boîtiers TO-220AB, ITO-220AB et TO-262AA)
CARACTÉRISTIQUES • Technologie Trench MOS Schottky • Faible chute de tension directe, faibles pertes de puissance • Fonctionnement à haut rendement • Faible résistance thermique • Conforme au niveau MSL 1, selon J-STD-020, crête maximale LF de 245 °C (pour le boîtier TO-263AB) • Température du bain de soudure 275 °C maximum, 10 s, selon JESD 22-B106 (pour les boîtiers TO-220AB, ITO-220AB et TO-262AA)
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