TPL7407LAQPWRQ1 TI
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TPL7407LAQPWRQ1 TI
1 Caractéristiques 1• Qualifié pour les applications automobiles • Qualifié AEC-Q100 avec les résultats suivants : – Classe de température 1 de l’appareil : -40 °C à +125 °C Plage de température ambiante de fonctionnement – Dispositif HBM ESD niveau 2 – Dispositif CDM ESD niveau de classification C4B • Courant de drain nominal de 600 mA (par voie) • Amélioration CMOS broche à broche de la matrice Darlington à 7 voies (par exemple : ULN2003A) • Efficacité énergétique (très faible vol) – moins de 4 fois moins de vol/vol. à 100 mA que le mât Darlington • très faible Fuite de sortie < 10 nA Per Channel • High-Voltage Outputs 30 V • Compatible with 1.8-V to 5-V Microcontroller and Logic Interface • Internal Free-wheeling Diodes for Inductive Kickback Protection • Input Pull-down Resistors Allows Tri-stating the Input Driver • Input RC-Snubber to Eliminate Spurious Operation in Noisy Environment • ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2-kV HBM, 500-V CDM
1 Caractéristiques 1• Qualifié pour les applications automobiles • Qualifié AEC-Q100 avec les résultats suivants : – Classe de température 1 de l’appareil : -40 °C à +125 °C Plage de température ambiante de fonctionnement – Dispositif HBM ESD niveau 2 – Dispositif CDM ESD niveau de classification C4B • Courant de drain nominal de 600 mA (par voie) • Amélioration CMOS broche à broche de la matrice Darlington à 7 voies (par exemple : ULN2003A) • Efficacité énergétique (très faible vol) – moins de 4 fois moins de vol/vol. à 100 mA que le mât Darlington • très faible Fuite de sortie < 10 nA Per Channel • High-Voltage Outputs 30 V • Compatible with 1.8-V to 5-V Microcontroller and Logic Interface • Internal Free-wheeling Diodes for Inductive Kickback Protection • Input Pull-down Resistors Allows Tri-stating the Input Driver • Input RC-Snubber to Eliminate Spurious Operation in Noisy Environment • ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2-kV HBM, 500-V CDM
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