TLC6C598QPWRQ1 TI
| Disponible |
TLC6C598QPWRQ1 TI
• Qualifié pour les applications automobiles
• Qualifié AEC-Q100 avec les résultats suivants :
– Classe de température 1 de l’appareil : plage de température ambiante de fonctionnement de -40 °C à 125 °C
– Dispositif HBM ESD niveau de classification H2
– Dispositif CDM ESD niveau de classification C3B
• Large Vcc de 3 V à 5,5 V
• Puissance nominale maximale de 40 V
• Huit sorties de transistor DMOS de puissance de courant continu de 50 mA avec VCC = 5 V
• Protection contre l’arrêt thermique
• Cascade améliorée pour plusieurs étapes
• Tous les registres sont effacés avec une seule entrée
• Faible consommation d’énergie
• Temps de commutation lent (tr et tf), ce qui contribue considérablement à réduire les interférences électromagnétiques
• Boîtier TSSOP-PW à 16 broches
• Boîtier SOIC-D à 16 broches
• Qualifié pour les applications automobiles
• Qualifié AEC-Q100 avec les résultats suivants :
– Classe de température 1 de l’appareil : plage de température ambiante de fonctionnement de -40 °C à 125 °C
– Dispositif HBM ESD niveau de classification H2
– Dispositif CDM ESD niveau de classification C3B
• Large Vcc de 3 V à 5,5 V
• Puissance nominale maximale de 40 V
• Huit sorties de transistor DMOS de puissance de courant continu de 50 mA avec VCC = 5 V
• Protection contre l’arrêt thermique
• Cascade améliorée pour plusieurs étapes
• Tous les registres sont effacés avec une seule entrée
• Faible consommation d’énergie
• Temps de commutation lent (tr et tf), ce qui contribue considérablement à réduire les interférences électromagnétiques
• Boîtier TSSOP-PW à 16 broches
• Boîtier SOIC-D à 16 broches
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