REF3125AQDBZRQ1 TI
| Disponible |
REF3125AQDBZRQ1 TI
• Qualifié AEC-Q100 avec les résultats suivants :
– Plage TA de l’appareil : -40°C à 125°C
– Dispositif HBM ESD niveau de classification H1C
– Dispositif CDM ESD niveau de classification C4A
• Haute précision : 0,2 % maximum
• Excellentes performances de dérive spécifiées :
– 20 ppm/°C (Maximum) de –40°C à +125°C
• Courant de sortie élevé : ±10 mA
• Faible chute : 5 mV
• Faible QI : 115 μA maximum
• Faible bruit : 17 μVp-p/V
• Aucun condensateur de sortie requis
• Options de tension disponibles : 1,2 V, 2 V, 2,5 V, 3 V, 3,3 V, 4 V
• Boîtier MicroSize : SOT-23 à 3 broches
• Qualifié AEC-Q100 avec les résultats suivants :
– Plage TA de l’appareil : -40°C à 125°C
– Dispositif HBM ESD niveau de classification H1C
– Dispositif CDM ESD niveau de classification C4A
• Haute précision : 0,2 % maximum
• Excellentes performances de dérive spécifiées :
– 20 ppm/°C (Maximum) de –40°C à +125°C
• Courant de sortie élevé : ±10 mA
• Faible chute : 5 mV
• Faible QI : 115 μA maximum
• Faible bruit : 17 μVp-p/V
• Aucun condensateur de sortie requis
• Options de tension disponibles : 1,2 V, 2 V, 2,5 V, 3 V, 3,3 V, 4 V
• Boîtier MicroSize : SOT-23 à 3 broches
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