Micropuce PIC12F683T-I/SNVAO
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Micropuce PIC12F683T-I/SNVAO
• Oscillateur interne de précision : - Calibré en usine à ±1 %, typique - Gamme de fréquences sélectionnable par logiciel de 8 MHz à 125 kHz - Réglable par logiciel - Mode de démarrage à deux vitesses - Détection de défaillance à cristal pour les applications critiques - Commutation du mode d’horloge pendant le fonctionnement pour des économies d’énergie
• Mode veille à économie d’énergie
• Large plage de tension de fonctionnement (2,0 V-5,5 V)
• Plage de température industrielle et étendue
• Réinitialisation de la mise sous tension (POR)
• Minuterie de mise sous tension (PWRT) et minuterie de démarrage de l’oscillateur (OST)
• Réinitialisation de la baisse de tension (BOR) avec option de contrôle logiciel
• Minuterie de surveillance à courant faible (WDT) améliorée avec oscillateur sur puce (sélectionnable par logiciel, nominal de 268 secondes avec préscaler complet) avec activation logicielle
• Multiplexed Master Clear avec broche de traction/d’entrée
• Protection des codes programmables
• Cellule Flash/EEPROM haute endurance : - Endurance Flash 100 000 écriture - Endurance EEPROM 1 000 000 écriture - Rétention EEPROM Flash/Data : > 40 ans
• Oscillateur interne de précision : - Calibré en usine à ±1 %, typique - Gamme de fréquences sélectionnable par logiciel de 8 MHz à 125 kHz - Réglable par logiciel - Mode de démarrage à deux vitesses - Détection de défaillance à cristal pour les applications critiques - Commutation du mode d’horloge pendant le fonctionnement pour des économies d’énergie
• Mode veille à économie d’énergie
• Large plage de tension de fonctionnement (2,0 V-5,5 V)
• Plage de température industrielle et étendue
• Réinitialisation de la mise sous tension (POR)
• Minuterie de mise sous tension (PWRT) et minuterie de démarrage de l’oscillateur (OST)
• Réinitialisation de la baisse de tension (BOR) avec option de contrôle logiciel
• Minuterie de surveillance à courant faible (WDT) améliorée avec oscillateur sur puce (sélectionnable par logiciel, nominal de 268 secondes avec préscaler complet) avec activation logicielle
• Multiplexed Master Clear avec broche de traction/d’entrée
• Protection des codes programmables
• Cellule Flash/EEPROM haute endurance : - Endurance Flash 100 000 écriture - Endurance EEPROM 1 000 000 écriture - Rétention EEPROM Flash/Data : > 40 ans
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