NTNS3A65PZT5G SUR
| Disponible |
NTNS3A65PZT5G SUR
• MOSFET à canal P unique
• Profil ultra bas SOT−883 (XDFN3) 1,0 x 0,6 x 0,4 mm pour les environnements extrêmement minces tels que l’électronique portable
• Solution à faible RDS(on) dans le boîtier ultra compact de 1,0 x 0,6 mm
• Entraînement de porte 1,5 V
• Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
• MOSFET à canal P unique
• Profil ultra bas SOT−883 (XDFN3) 1,0 x 0,6 x 0,4 mm pour les environnements extrêmement minces tels que l’électronique portable
• Solution à faible RDS(on) dans le boîtier ultra compact de 1,0 x 0,6 mm
• Entraînement de porte 1,5 V
• Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
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