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Détails du produit
Enquête
NTMFS4D2N10MDT1G SUR

• Technologie MOSFET à grille blindée
• Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
• Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de pilote
• Diode de corps à récupération douce à faible QRR
• Faible QOSS pour améliorer l’efficacité de la charge légère
• Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR, sans béryllium et sont conformes à la directive RoHS
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Conseils pour obtenir des devis précis de la part des fournisseurs. S’il vous plaît inclure le Suite à votre demande :
1. Renseignements personnels ou commerciaux
2. Fournir une demande de produit très détaillée
3. Demande de MOQ, de prix unitaire, etc.

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