NCV1060BD100R2G SUR

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Détails du produit
Enquête
NCV1060BD100R2G SUR

• MOSFET 670 V intégré avec RDS(on) de 34 (NCV1060) et 11,4 (NCV1063)
• Grande distance de fuite entre les broches haute tension
• Fonctionnement à fréquence fixe en mode courant – 60 kHz ou 100 kHz
• Courant de crête réglable : voir le tableau ci-dessous
• Compensation de rampe fixe
• Connexion à rétroaction directe pour convertisseur non isolé
• Circuit interne et réglable de protection contre la surpuissance (OPP)
• Fonctionnement à cycle sauté à de faibles courants de crête uniquement
• Auto-alimentation dynamique : pas besoin d’enroulement auxiliaire
• Démarrage progressif interne de 4 ms
• Protection contre les courts-circuits de sortie à récupération automatique avec détection basée sur la minuterie
• Protection contre les surtensions à récupération automatique avec fonctionnement de l’enroulement auxiliaire
• Gigue de fréquence pour une meilleure signature EMI
• Consommation d’entrée à vide nulle < 50 mW
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Conseils pour obtenir des devis précis de la part des fournisseurs. S’il vous plaît inclure le Suite à votre demande :
1. Renseignements personnels ou commerciaux
2. Fournir une demande de produit très détaillée
3. Demande de MOQ, de prix unitaire, etc.

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