NCP81253MNTBG SUR
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NCP81253MNTBG SUR
• Boîtier DFN8 à haute température de 2 mm x 2 mm, peu encombrant
• Gamme VCC de 4,5 V à 5,5 V
• Diode d’amorçage interne
• Entrée PWM 5 V à 3 étages
• Capacité de freinage à diode via l’état intermédiaire EN
• Le circuit adaptatif à conduction anti-croisée protège contre la conduction croisée lors de l’activation et de l’arrêt du FET
• Le contrôle de désactivation de la sortie désactive les deux MOSFET via l’activation de la broche
• Verrouillage en cas de sous-tension VCC
• Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
• Boîtier DFN8 à haute température de 2 mm x 2 mm, peu encombrant
• Gamme VCC de 4,5 V à 5,5 V
• Diode d’amorçage interne
• Entrée PWM 5 V à 3 étages
• Capacité de freinage à diode via l’état intermédiaire EN
• Le circuit adaptatif à conduction anti-croisée protège contre la conduction croisée lors de l’activation et de l’arrêt du FET
• Le contrôle de désactivation de la sortie désactive les deux MOSFET via l’activation de la broche
• Verrouillage en cas de sous-tension VCC
• Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
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