NCP81074BDR2G SUR
| Disponible |
NCP81074BDR2G SUR
• Capacité de commande de courant élevé ±10 A
• Entrées compatibles TTL/CMOS indépendantes de la tension d’alimentation
• Capacité de courant inverse élevé (10 A) crête
• Temps de montée typique de 4 ns et temps de chute typiques de 4 ns avec une charge de 1,8 nF
• Temps de propagation rapides de 15 ns avec chute d’entrée et de 15 ns avec montée d’entrée
• Plage de tension d’entrée de 4,5 V à 20 V
• Configuration de sortie partagée
• Conception à double entrée offrant une flexibilité de disque
• Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
• Capacité de commande de courant élevé ±10 A
• Entrées compatibles TTL/CMOS indépendantes de la tension d’alimentation
• Capacité de courant inverse élevé (10 A) crête
• Temps de montée typique de 4 ns et temps de chute typiques de 4 ns avec une charge de 1,8 nF
• Temps de propagation rapides de 15 ns avec chute d’entrée et de 15 ns avec montée d’entrée
• Plage de tension d’entrée de 4,5 V à 20 V
• Configuration de sortie partagée
• Conception à double entrée offrant une flexibilité de disque
• Ces appareils sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
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