NCD57084DR2G SUR

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Détails du produit
Enquête
NCD57084DR2G SUR

• Courant de sortie de crête élevé (+7 A/−7 A)
• Faible impédance de sortie pour un pilotage IGBT amélioré
• Délais de propagation courts avec correspondance précise
• Protection DESAT avec retard programmable
• Capacité de tension négative (jusqu’à -9 V) pour DESAT
• Serrage de la porte IGBT en cas de court-circuit
• Abaissement actif de la porte IGBT
• Arrêt en douceur pendant un court-circuit IGBT
• Seuils UVLO serrés pour une flexibilité de biais
• Évitement partiel d’impulsion de sortie pendant UVLO/DESAT (redémarrage)
• Entrée logique 3,3 V, 5 V et 15 V
• Isolation galvanique 2,5 kVrms
• Immunité transitoire élevée
• Haute immunité électromagnétique
• Préfixe NCV pour l’automobile et d’autres applications nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle ; Qualifié AEC−Q100 et compatible PPAP
• Cet appareil est sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS
 
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