MC74HC138ADTR2G SUR
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MC74HC138ADTR2G SUR
Capacité d’entraînement de sortie : 10 charges LSTTL
Les sorties s’interfacent directement avec CMOS, NMOS et TTL
Plage de tension de fonctionnement : 2,0 à 6,0 V
Courant d’entrée faible : 1,0 A
Caractéristique d’immunité au bruit élevée des dispositifs CMOS
Dans le respect des exigences définies par le JEDEC
Norme n° 7 A
Complexité de la coque : 100 FET ou 29 portes équivalentes
Préfixe NLV pour l’automobile et d’autres applications nécessitant
Exigences uniques en matière de modification du site et du contrôle ; AEC−Q100
Qualifié et compatible PPAP*
Ces dispositifs sont exempts de plomb, d’halogène ou de BFR et sont conformes à la directive RoHS.
Conforme
Capacité d’entraînement de sortie : 10 charges LSTTL
Les sorties s’interfacent directement avec CMOS, NMOS et TTL
Plage de tension de fonctionnement : 2,0 à 6,0 V
Courant d’entrée faible : 1,0 A
Caractéristique d’immunité au bruit élevée des dispositifs CMOS
Dans le respect des exigences définies par le JEDEC
Norme n° 7 A
Complexité de la coque : 100 FET ou 29 portes équivalentes
Préfixe NLV pour l’automobile et d’autres applications nécessitant
Exigences uniques en matière de modification du site et du contrôle ; AEC−Q100
Qualifié et compatible PPAP*
Ces dispositifs sont exempts de plomb, d’halogène ou de BFR et sont conformes à la directive RoHS.
Conforme
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