MasterGaN1 ST

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Détails du produit
Enquête
MasterGaN1 ST
 
  • Système 600 V en boîtier intégrant un pilote de grille en demi-pont et des transistors GaN de puissance haute tension :
    • Boîtier QFN 9 x 9 x 1 mm
    • RDS(ON)= 150 mΩ
    • JeDS(MAX)= 10 A
  • Capacité de courant inverse
  • Perte de récupération inverse nulle
  • Protection UVLO sur le côté bas et le côté haut
  • Diode d’amorçage interne
  • Fonction de verrouillage
  • Goupille dédiée pour la fonctionnalité d’arrêt
  • Correspondance précise du chronométrage interne
  • Entrées compatibles 3,3 V à 15 V avec hystérésis et pull-down
  • Protection contre la surchauffe
  • Réduction de la nomenclature
  • Agencement très compact et simplifié
  • Conception flexible, facile et rapide.


 
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1. Renseignements personnels ou commerciaux
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