LM74610QDGKRQ1 TI
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LM74610QDGKRQ1 TI
• Qualifié pour les applications automobiles
• Qualifié AEC-Q100 avec les résultats suivants : – Dépasse le niveau de classification HBM ESD 2 – Dispositif CDM ESD niveau C4B
• Tension inverse maximale de 45 V
• Aucune limitation de tension positive à la borne d’anode
• Pilote de grille de pompe de charge pour MOSFET externe à canal N
• Dissipation de puissance inférieure à celle des solutions de diode/PFET Schottky
• Faible courant de fuite inverse
• QI zéro
• Réponse rapide de 2 μs à l’inversion de polarité
• Température ambiante de fonctionnement de -40 °C à +125 °C
• Peut être utilisé dans des applications d’OR-ing
• Conforme à CISPR25 spécification EMI
• Répond aux exigences automobiles ISO7637 transitoires avec une diode TVS appropriée
• Pas de limite de courant de crête
• Qualifié pour les applications automobiles
• Qualifié AEC-Q100 avec les résultats suivants : – Dépasse le niveau de classification HBM ESD 2 – Dispositif CDM ESD niveau C4B
• Tension inverse maximale de 45 V
• Aucune limitation de tension positive à la borne d’anode
• Pilote de grille de pompe de charge pour MOSFET externe à canal N
• Dissipation de puissance inférieure à celle des solutions de diode/PFET Schottky
• Faible courant de fuite inverse
• QI zéro
• Réponse rapide de 2 μs à l’inversion de polarité
• Température ambiante de fonctionnement de -40 °C à +125 °C
• Peut être utilisé dans des applications d’OR-ing
• Conforme à CISPR25 spécification EMI
• Répond aux exigences automobiles ISO7637 transitoires avec une diode TVS appropriée
• Pas de limite de courant de crête
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