ISO7721FQDRQ1 TI
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ISO7721FQDRQ1 TI
1 Caractéristiques • Qualifié pour les applications automobiles • Qualifié AEC-Q100 Avec les résultats suivants : – Classe de température de l’appareil 1 : -40 °C à +125 °C Plage de température ambiante de fonctionnement – Appareil HBM ESD niveau 3A – Dispositif CDM ESD niveau C6 • Compatible avec la sécurité fonctionnelle – Documentation disponible pour aider à la conception du système de sécurité fonctionnelle : ISO7720-Q1, ISO7721-Q1 • Débit de données de 100 Mbps • Barrière d’isolation robuste : – Durée de vie prévue de >100 ans à une tension de fonctionnement de 1,5 kVeff – Indice d’isolement jusqu’à 5000 Veff – Capacité de surtension jusqu’à 12,8 kV – ±100 kV/μs CMTI typique • Large plage d’alimentation : 2,25 V à 5,5 V • Translation de niveau de 2,25 V à 5,5 V • Options de sortie par défaut Haute (ISO772x) et Basse (ISO772xF) • Faible consommation d’énergie, typique 1,7 mA par canal à 1 Mbps • Faible délai de propagation : 11 ns typique • Compatibilité électromagnétique (CEM) robuste – Immunité aux décharges électrostatiques, EFT et aux surtensions au niveau du système – Protection contre les décharges de contact ±8 kV IEC 61000-4-2 à travers la barrière d’isolation – Faibles émissions • Options de boîtiers Wide-SOIC (DW-16) et Narrow-SOIC (D-8) • Section 6.7 – DIN VDE V 0884-11:2017-01 – Programme de reconnaissance des composants UL 1577 – Certifications IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1, IEC 60601-1 et GB 4943.1-2011
1 Caractéristiques • Qualifié pour les applications automobiles • Qualifié AEC-Q100 Avec les résultats suivants : – Classe de température de l’appareil 1 : -40 °C à +125 °C Plage de température ambiante de fonctionnement – Appareil HBM ESD niveau 3A – Dispositif CDM ESD niveau C6 • Compatible avec la sécurité fonctionnelle – Documentation disponible pour aider à la conception du système de sécurité fonctionnelle : ISO7720-Q1, ISO7721-Q1 • Débit de données de 100 Mbps • Barrière d’isolation robuste : – Durée de vie prévue de >100 ans à une tension de fonctionnement de 1,5 kVeff – Indice d’isolement jusqu’à 5000 Veff – Capacité de surtension jusqu’à 12,8 kV – ±100 kV/μs CMTI typique • Large plage d’alimentation : 2,25 V à 5,5 V • Translation de niveau de 2,25 V à 5,5 V • Options de sortie par défaut Haute (ISO772x) et Basse (ISO772xF) • Faible consommation d’énergie, typique 1,7 mA par canal à 1 Mbps • Faible délai de propagation : 11 ns typique • Compatibilité électromagnétique (CEM) robuste – Immunité aux décharges électrostatiques, EFT et aux surtensions au niveau du système – Protection contre les décharges de contact ±8 kV IEC 61000-4-2 à travers la barrière d’isolation – Faibles émissions • Options de boîtiers Wide-SOIC (DW-16) et Narrow-SOIC (D-8) • Section 6.7 – DIN VDE V 0884-11:2017-01 – Programme de reconnaissance des composants UL 1577 – Certifications IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1, IEC 60601-1 et GB 4943.1-2011
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