FDMA905P SUR
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FDMA905P SUR
Max rDS(on) = 16 mΩ à VGS = -4,5 V, ID = -10 A
Max rDS(on) = 21 mΩ à VGS = -2,5 V, ID = -8,9 A
rDS max. (activé) = 82 mΩ à VGS = -1,8 V, ID = -4,5 A
Profil bas - 0,8 mm maximum - dans le nouveau boîtier MicroFET 2X2 mm
Sans composés halogénés ni oxydes d’antimoine
Conforme à la directive RoHS
Max rDS(on) = 16 mΩ à VGS = -4,5 V, ID = -10 A
Max rDS(on) = 21 mΩ à VGS = -2,5 V, ID = -8,9 A
rDS max. (activé) = 82 mΩ à VGS = -1,8 V, ID = -4,5 A
Profil bas - 0,8 mm maximum - dans le nouveau boîtier MicroFET 2X2 mm
Sans composés halogénés ni oxydes d’antimoine
Conforme à la directive RoHS
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