CY15B064Q-SXET CYPRÈS
Disponible
CY15B064Q-SXET CYPRÈS
■ Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64 Kbit, logiquement organisée en 8K × 8
❐ Haute endurance 10 trillions (1013) lectures/écritures
❐ Conservation des données de 121 ans (voir Conservation et endurance des données à la page 12)
❐ NoDelay™ écrit
❐ Procédé ferroélectrique avancé à haute fiabilité
■ Interface périphérique série (SPI) très rapide
❐ Fréquence jusqu’à 16 MHz
❐ Remplacement direct du matériel pour la flash série et l’EEPROM
❐ Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
■ Schéma sophistiqué de protection en écriture
❐ Protection matérielle à l’aide de la broche Write Protect (WP)
❐ Protection logicielle à l’aide de l’instruction Write Disable
❐ Protection contre les blocages logiciels pour 1/4, 1/2 ou l’ensemble de la baie
■ Faible consommation d’énergie
❐ 300
Un courant actif à 1 MHz ❐ 6
Un courant de veille (typ) à +85 C
■ Fonctionnement basse tension : VDD = 3,0 V à 3,6 V
■ Température Automotive-E : –40 C à +125 C
■ Boîtier de circuit intégré à petit contour (SOIC) à 8 broches
■ Conforme à la norme AEC Q100 Grade 1
■ Conforme à la restriction des substances dangereuses (RoHS)
■ Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64 Kbit, logiquement organisée en 8K × 8
❐ Haute endurance 10 trillions (1013) lectures/écritures
❐ Conservation des données de 121 ans (voir Conservation et endurance des données à la page 12)
❐ NoDelay™ écrit
❐ Procédé ferroélectrique avancé à haute fiabilité
■ Interface périphérique série (SPI) très rapide
❐ Fréquence jusqu’à 16 MHz
❐ Remplacement direct du matériel pour la flash série et l’EEPROM
❐ Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
■ Schéma sophistiqué de protection en écriture
❐ Protection matérielle à l’aide de la broche Write Protect (WP)
❐ Protection logicielle à l’aide de l’instruction Write Disable
❐ Protection contre les blocages logiciels pour 1/4, 1/2 ou l’ensemble de la baie
■ Faible consommation d’énergie
❐ 300
Un courant actif à 1 MHz ❐ 6
Un courant de veille (typ) à +85 C
■ Fonctionnement basse tension : VDD = 3,0 V à 3,6 V
■ Température Automotive-E : –40 C à +125 C
■ Boîtier de circuit intégré à petit contour (SOIC) à 8 broches
■ Conforme à la norme AEC Q100 Grade 1
■ Conforme à la restriction des substances dangereuses (RoHS)
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