BAS516,115 NXP

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Détails du produit
Enquête
BAS516,115 NXP


• Vitesse de commutation élevée : trr ≤ 4 ns
• Faible capacité
• Faible courant de fuite
• Tension inverse : VR ≤ 100 V
• Petit boîtier en plastique CMS
• Tension inverse de crête répétitive : VRRM ≤ 100 V
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Conseils pour obtenir des devis précis de la part des fournisseurs. S’il vous plaît inclure le Suite à votre demande :
1. Renseignements personnels ou commerciaux
2. Fournir une demande de produit très détaillée
3. Demande de MOQ, de prix unitaire, etc.

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