BAS516,115 NXP

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BAS516,115 NXP
Description générale Diode de commutation à grande vitesse, encapsulée dans un boîtier en plastique SOD523 (SC-79) SurfaceMounted Device (SMD) ultra petit et plat. 2. Caractéristiques et avantages • Vitesse de commutation élevée : trr ≤ 4 ns • Faible capacité • Faible courant de fuite • Tension inverse : VR ≤ 100 V • Petit boîtier en plastique CMS • Tension inverse de crête répétitive : VRRM ≤ 100 V 3. Applications • Commutation à grande vitesse • Commutation à usage général
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