AUIRF7341 INFINEON
Disponible |
AUIRF7341 INFINEON
Technologie planaire avancée
Ultra faible résistance à l’état passant
Entraînement de porte de niveau logique
MOSFET double canal N
Montage en surface
Disponible en bande et bobine
Température de fonctionnement de 175 °C
Automobile [Q101] Qualifié*
Sans plomb, conforme à la directive RoHS
Technologie planaire avancée
Ultra faible résistance à l’état passant
Entraînement de porte de niveau logique
MOSFET double canal N
Montage en surface
Disponible en bande et bobine
Température de fonctionnement de 175 °C
Automobile [Q101] Qualifié*
Sans plomb, conforme à la directive RoHS
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