ADR4525ARZ-R7 ADI
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ADR4525ARZ-R7 ADI
Coefficient de température maximal (TCVOUT) : 0,8 ppm/°C (grade D 0 °C à 70 °C) 1 ppm/°C (grade C 0 °C à 70 °C) 2 ppm/°C (grade B −40 °C à +125 °C) 4 ppm/°C (grade A −40 °C à +125 °C) Bruit de sortie (0,1 Hz à 10 Hz) : 1 μV p-p à VOUT de 2,048 V typique Erreur de tension de sortie initiale : Grade B, C, D : ±0,02 % (maximum) Plage de tension d’entrée : 3 V à 15 V Température de fonctionnement : grade A et grade B : -40 °C à +125 °C Grade C et grade D : 0 °C à +70 °C Courant de sortie : source +10 mA/puits de −10 mA Courant de repos faible : 950 μA (maximum) Faible tension de chute : 300 mV à 2 mA (VOUT ≥ 3 V) Boîtier SOIC et LCC à 8 broches AEC-Q100 qualifié pour les applications automobiles Dérive à long terme : 8 ppm typique à 4500 heures
Coefficient de température maximal (TCVOUT) : 0,8 ppm/°C (grade D 0 °C à 70 °C) 1 ppm/°C (grade C 0 °C à 70 °C) 2 ppm/°C (grade B −40 °C à +125 °C) 4 ppm/°C (grade A −40 °C à +125 °C) Bruit de sortie (0,1 Hz à 10 Hz) : 1 μV p-p à VOUT de 2,048 V typique Erreur de tension de sortie initiale : Grade B, C, D : ±0,02 % (maximum) Plage de tension d’entrée : 3 V à 15 V Température de fonctionnement : grade A et grade B : -40 °C à +125 °C Grade C et grade D : 0 °C à +70 °C Courant de sortie : source +10 mA/puits de −10 mA Courant de repos faible : 950 μA (maximum) Faible tension de chute : 300 mV à 2 mA (VOUT ≥ 3 V) Boîtier SOIC et LCC à 8 broches AEC-Q100 qualifié pour les applications automobiles Dérive à long terme : 8 ppm typique à 4500 heures
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