2N6045G SUR
Disponible
2N6045G SUR
Caractéristiques • Gain de courant CC élevé − hFE = 2500 (typ) @ IC = 4.0 ADC • Tension de maintien du collecteur−émetteur − @ 100 mAdc − VCEO(sus) = 60 Vdc (min) − 2N6040, 2N6043 = 100 Vdc (min) − 2N6042, 2N6045 • Faible tension de saturation du collecteur−émetteur − VCE(sat) = 2,0 Vdc (max) @ IC = 4,0 Adc − 2N6043,44 = 2,0 Vdc (max) @ IC = 3,0 Adc − 2N6042, 2N6045 • Construction monolithique avec résistances shunt à emetteur de base intégrées • Époxy conforme à la norme UL 94 V−0 @ 0,125 po • Cotes ESD : modèle de corps humain, modèle de machine 3B > 8000 V, C > 400 V • Ces dispositifs sont sans plomb et sont conformes à la directive RoHS*
Caractéristiques • Gain de courant CC élevé − hFE = 2500 (typ) @ IC = 4.0 ADC • Tension de maintien du collecteur−émetteur − @ 100 mAdc − VCEO(sus) = 60 Vdc (min) − 2N6040, 2N6043 = 100 Vdc (min) − 2N6042, 2N6045 • Faible tension de saturation du collecteur−émetteur − VCE(sat) = 2,0 Vdc (max) @ IC = 4,0 Adc − 2N6043,44 = 2,0 Vdc (max) @ IC = 3,0 Adc − 2N6042, 2N6045 • Construction monolithique avec résistances shunt à emetteur de base intégrées • Époxy conforme à la norme UL 94 V−0 @ 0,125 po • Cotes ESD : modèle de corps humain, modèle de machine 3B > 8000 V, C > 400 V • Ces dispositifs sont sans plomb et sont conformes à la directive RoHS*
Veuillez vous assurer que vos coordonnées sont correctes. Votre message directement au(x) destinataire(s) et ne sera pas être affiché publiquement. Nous ne distribuerons ni ne vendrons jamais votre personnel à des tiers sans votre autorisation expresse.
